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第三代半导体材料，主要代表碳化硅和氮化相对于前两代半导体材料而言，在高温、高压、高频的工作环境下有着明显的优势。

碳化硅早在1842年就被发现了，直到1955年才开发出生长碳化硅晶体材料的方法，1987年商业化生产的的碳化硅才进入市场，21世纪后碳化硅的商业应用才算铺开。

与硅相比，碳化硅具有更高的禁带宽度，禁带宽度越宽，临界击穿电压越大，高电压下可以减少所需器件数目。具有高饱和电子飘逸速度，制作的元件开关速度大约是硅的3-10倍，高压条件下能高频操作，所需的驱动功率小，电路能量损耗低。具有高热导率，可减少所需的冷却系统，也更适用于高功率场景下的使用，一般的硅半导体器件只能在100℃以下正常运行，器件虽然能在200℃以上工作，但是效率大大下降，而碳化硅的工作温度可达600℃，具有很强的耐热性。并且混合SIC器件体积更小，工作损耗的降低以及工作温度的上升使得集成度提高，体积减小。

目前，吸波材料在各个领域中的应用越来越广泛。尤其在领域，为了加强自身建设，通常将吸波材料涂层应用于战斗表面，以达到“隐身”的目的。吸波材料在装备力量与电子科技中占据重要地位。

在国际上，美国对吸波材料作为“隐身材料”的应用已经较为成熟，例如，美国将吸波性能良好的碳化硅材料作为涂层涂于军事表面，减弱目标向外散发的雷达特征与红外线等，使得敌军无法检测到目标，从而在中占据优势 [1-2]。在海湾和科索沃，人们都可以看到有关“隐身材料”的应用经验。因此，吸波材料作为“隐身”技术的应用越来越重要，为增强我国军事实力，建设事业，必须对吸波材料进行深入研究与应用。

较为常见的吸波材料为碳化硅，可以用于一些电子设备、屏蔽设备等，尤其在信息化中，可以减弱目标的光电特征、红外信号等 [3]。碳化硅作为吸波材料，分为不同的类型，如铁磁金属微粉吸波材料、铁氧体吸波材料、纳米吸波材料、多晶铁纤维吸波材料、陶瓷吸波材料、导电高聚物吸波材料。本文就通过试验研究碳化硅涂层的吸波性能，以期为事业作出贡献。

除了用烧结法制造碳化硅制品以外，自从发明了热压烧结技术以后，碳化硅制品也可以用热压法制造，并且可以获得更优良的烧结性能。热压工艺是把坯料的成型和烧成结合为一个过程，即坯料在高温同时又在压力下一次成型并烧结。这种方法在冶金工业中用于粉末冶金已有数十年的历史，在特种耐火材料工业生产中已经逐步推广应用。采用热压成型烧结，可以缩短制造时间，降结温度，改善制品的显微结构，增加制品的致密度，提高材料的性能。选择适当的温度、压力和坯料粒度等热压工艺条件，就可达到优良的热压效果。热压工艺对难熔化合物的制造特别有用。热压用的模具因为既要经受1000℃以上的高温，并且还要在高温下承受数kN的压力，因此，对制造难熔化合物制品一般均用高强度石墨作模具。

讨论

通过试验可得，碳化硅涂层越薄，吸波能力越低；涂层中所含碳化硅含量越低，吸波能力越低。当涂层厚度与碳化硅含量达到标准时，涂层可承受 250℃高温。在 150℃环境中，厚度为 1mm 的碳化硅涂层吸收强度保持在 20dB 左右。

通过对比分析可知，碳化硅涂层的适吸波能力为1mm，碳化硅涂层的多波段吸收可以跨越不同厚度的涂层。随着碳化硅涂层厚度的减小，涂层吸收峰的峰位逐渐转为高频。

在一定范围内，吸收峰的峰位变化与碳化硅含量成正比，碳化硅含量增加，则吸收峰峰位向高频移动。相反，涂层厚度与吸收峰的峰位成反比，厚度增加，则吸收峰峰位移向低频段。当涂层厚度 1mm 时，碳化硅涂层的吸波性能佳。